威海回收电池保护芯片收购金士顿内存
-
≥10000件¥2000.00
-
100-10000件¥2000.00
-
1-100件¥999.00
威海回收电池保护芯片 收购金士顿内存
坪地回收手机IC,清远回收贴片晶振,平湖收购主控IC,沈阳回收太诱电容,三乡收购海力士SSD,南昌收购希捷硬盘,道滘收购通信芯片,沈阳求购手机智能机,北京求购电源,上海回收车身稳定芯片,坦洲收购镁光NOR闪存,常平求购广电,横栏求购电解电容,麻涌求购DDR3芯片,沈阳收购射频IC,清远求购电源管理芯片,吴江收购CPU,小金口回收电动车电池,小榄回收时间继电器,香港收购金士顿SSD硬盘,沙井回收电子料,长沙求购显卡芯片,观澜收购立琦IC,江阴回收低频管,千灯回收希捷内存,中山收购I3系列CPU,吴江回收网络,兰州回收瑞迪威芯片,香港回收电源管理IC,平湖收购工厂库存电子元件,小金口收购工厂库存电子元件,沙头角求购编程芯片,黄埔收购网卡芯片,扬州求购希捷硬盘,昆明回收传感器芯片,宝安收购电表芯片,松山湖求购电脑芯片,南山回收继电器,南京回收闪迪内存,桥头收购三星SD卡,珠海求购EMMC芯片,徐州回收,谢岗收购BGA芯片,绍兴回收单片机芯片,龙华收购手机,南通求购车规IC,坪地求购发光管,太仓回收感光IC,济南收购贴片电感,清溪求购红外管
TPS720132YZUT,SJFMK,GRM0332C2A7R5WA01#,MKL27Z128VFM4,R5F2L36CMNFP,BU19TD3WG,LQG15HN22NJ02,SNJ54S00W,CC0603FRNPO0BN101,GRM32NC81A226ME19#,FMP06N60ES,CC0805KKX5R9BB105,ERA6AED1963V,ST25DV64K-IER8S3,V700,MT48LC8M32B2B5-7ES,N15P-GX-A2,TMK107B7224MAHT,GRM155B11E271MA01#,THS3061DGNRG4,S29AL008J70BFI022,ERJP6WF9311V,ISL89165,MP62150,ADG774ABCPZ-R2,AT25512-TH-B,ERJUP3F16R9V,TCM2-43X+,XCVU095-2FBGC2104I,LTC3545EUD#TRPBF,LM4040D25QDBZT,PT7M6232CH,BZT52C3V3-HF,MMSZ5252ET1G,ERA2AEB6490X,ERJU0XF2263Y,THS4061CD,74LVC1G175GS,OPA2340EA/2K5G4,EEUFC1A103,LQW2UAS56NJ00,BZB84-B30,TV02W140-HF,LM431BCMX/NOPB,ERJXGNF4701U,OPA2317IDR,Si82398AD-IS,ERJP03F1023V,MSS39-048-C15,ADS8505IBDBRG4
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。