甘孜M4D9-17划片刀半导体晶圆切割刀

目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ，目前半导体界主流的划片机分８英寸和12英寸划片机两种。


划片刀的选择一般来说要兼顾切割质量、切割刀片寿命和生产成本。金刚石颗粒尺寸影响划片刀的寿命和切割质量。较大的金刚石颗粒度可以在相同的刀具转速下，磨去更多的硅材料，因而刀具的寿命可以得到延长。然而，它会降低切割质量（尤其是正面崩角和金属／ILD得分层）。所以，对金刚石颗粒大小的选择要兼顾切割质量和制造成本。
金刚石颗粒的密度对切割质量的控制也十分关键。对于相同的金刚石颗粒大小但具有不同密度的刀片，划片刀每一个旋转周期移去的硅材料是相同的，但是，平均到每一个金刚石颗粒移去的硅材料的量是不同的。
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通常在切割前会在晶圆背部贴上UV膜或蓝膜，之后将贴有UV膜的晶圆放入划片机中，设置好程序开始划片，划片结束后拿出晶圆，进行解UV等工序。蓝膜成本较低，但是需要通过机械手段+温度辅助才能将芯片剥离；而UV膜粘性可以通过紫外线照射来改变。在划片完成后，晶圆被暴露在紫外光下，这使得膜的粘性降低，从而容易地剥离芯片。