基于以上两款焊料的不足，有压烧结银AS9385应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。
经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，
大家可能对93.277MPa没有概念，作为对比，目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa，美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
银烧结技术具有方面的成本效益，包括高吞吐量、低成本、高良率和低人工成本等。时至今日，已经有不少厂商提供采用银烧结技术制造的功率模块，
国内能提供纳米烧结银焊料的生产企业-SHAREX善仁新材为宽禁带半导体封装做出应有的贡献。但事实上，设计领域的许多工程师并不了解半导体器件设计和制造的细节，特别是银烧结技术。
善仁新材的烧结银技术可以解决以下五个问题：
1 现有的烧结银的技术成本远焊膏，烧结银成本随着银颗粒尺寸的减小而增加；善仁新材自己研发的纳米银，可以降低烧结银的综合成本；