三代半加压烧结银加压烧结银
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烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知,不论是碳化硅模块还是硅IGBT,电力电子发展总体目标是提高功率(电流,电压)——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命,稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。
个难题:烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中,传统有基板焊接功率模块中,焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。
善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa,剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度,大家可能对93.277MPa没有概念,作为对比,目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa,美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。