艾默生ITA-01k00AP1102C00UPS不间断电源1KVA900W在线式外置电池

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10%EM(幅值)处起，至集电极电流Ic上升到90%1CM处止所需要的时间。升通时间，
又可分为开通延迟时间t(on)和电流上升时间t两部分，td(on)定义为从10%OGE到出
10%IcM所需要的时间，t定义为集电极电流c从10%IcM上升至90%cM所需要的时间
集射电压UcE的下降过程分成tv1和t2两段，tv1段曲线为IGBT中MOSF 单作的电压
下降过程，tf2段曲线为MOSFET 和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。tv2段电压下降变
缓的原因有两个：其一是UcE电压下降时，IGBT中MOSFET 的栅漏电容增加，致使电压下
降变缓，这与MOSFET 相似；其二是IGBT的PNP晶体管由放大状态转换到饱和状态要有一
个过程，下降时间变长，这也会造成电压下降变缓。由此可知IGBT只有在tv2结束时才完全
进入饱和状态。
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济南
IGBT关断时，从驱动电压UGE的脉冲后沿下降到90%UGEM处起，至集电极电流下降到
10%IcM处止，这段过渡过程所需要的时间称为关断时间tof。关断时间tof包括关断延迟时间
( off)和电流下降时间t两部分。其中td(ofD定义为从90%Ugem处起至集电极电流下降到90%
IcM处止的时间间隔；t定义为集电极电流从90%1cm处下降至10%IcM处的时间间隔电流
下降时间t又可分为tm1和t62两段，tm对应IGBT内部的MOSFET 的关断过程，tfi对应于
IGBT内部的PNP晶体管的关断过程。
IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间都是需要折中的参数。高压器件的N基区有
足够的宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长。在实际电路应用
中，要根据具体情况合理选择器件参数。