1.5KE瞬态抑制TVS管价格面议,二极管

2013年11月13日~15日 第82届中国电子展在上海浦东新国际博览中心(上海市龙阳路2345号)召开，展会展出产品有工业级电子元器件、光电器件、集成电路、电源模块、嵌入式系统、新型传感器技术、电子材料、电子基础装备、电子工具、电子测量仪器及工控自动测试系统等。

捷捷微电（上海）科技有限公司是已上市的江苏捷捷微电集团旗下一家子公司，坐落于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。从事功率半导体器件的设计、工艺研发和销售。

捷捷上海的核心团队由来自国际半导体公司的事业部总经理、功率器件设计工程师、和一批在芯片工艺、封装技术、产品工程、质量管理和市场销售领域的组成。
工程团队不断突破核心技术，陆续推出自有JSFET® 技术平台、耐压范围在30~150V 的SGT MOSFETs，申请及通过技术专利不少于22项。

结合了新型功率封装技术，这些SGT MOSFETs 性能均对标国际，具行业的低导通阻抗及结电容/荷等电气特性，已被众多世界OEMs&ODMs广泛应用在各种终端：USB PD快充、AC/DC SMPS、电机驱动、锂电保护及BMS、电脑及周边、通信电源等终端。

优势

TVS与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

TVS与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD保护，不但便宜而且设计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。5kV的冲击会造成约10%陶瓷电容失效，到10kV时，损坏率达到60%，而TVS可以承受15kV电压。在手持设备的使用过程中，由于与人体频繁接触，各个端口至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2标准)，可见使用TVS可以有效终产品的合格率。

TVS与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达初中止电压的2～3倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。而TVS二极管具有更好的电压截止因子，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。TVS二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。

另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。