高剪切强度烧结银上海烧结银有压烧结银

高导热率：导热率可达3130W/mK
4高导电率：体阻低至2.2*10-6
5 耐候性好：-55-250°C

1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。

随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。