银浆烧结,IGBT烧结银,纳米烧结银膏

随着5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等领域的快速发展，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势成为支持新基建的核心材料。

碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围，集中在1000V以下，而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势，两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能电网、节能家电、通信射频等大多数具有广阔发展前景的新兴应用市场。

以近期国内外大热的新能源汽车为例，新能源汽车存在的核心困难是充电速率过慢，主流的研究热点集中在快速充电技术上，而快充技术的实现就需要用到高压SiC半导体器件。

5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性，以支持海量设备的互联。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更率和更低功耗。

类是针对车规应用的加压烧结银，包括烧结银膏和烧结膜。第二类产品是无压烧结银膏，可用于射频通讯、光电传感等场景，热导率测试可达230W/mK以上。

第三类产品为纳米导电银浆，可用于对导电要求比较高的领域。第四大类为纳米银墨水，可广泛用于柔性电子行业。第五类为烧结银膜。相关产品已经获得国内200多家客户认可，产品已经实现批量化供应。