广东DTSDTS系统国产DTS
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新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,
众所周知,在单管封装中,影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K),远IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超过金属铝(220W/(m.K)),与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重,是不言而喻的。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的使用方法为:Pick & Place;