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　　，出现量子斯塔克效应为规避这一效应，可选择用图形化的生长，用MOCVD工艺生长高晶体半极性面氮化镓材料和量子阱结构这种量子阱结构存在两方面优势：一是，可以很好地实现长波长的发光半极性面的量子性结构MicroLED，随着电流诸如的，效果削弱很多，这意味着波长性有明显的，从而更有利于显示二是，复合速率快半极性面MicroLED器件的载流子复合速率比极性面快一个数量级，如果把器件做得更小，调制带宽的速度会更高，这将有利于可见光通信的应用要制成氮化镓维。

 

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基恩士NU-EP1通讯模块

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三菱3相200V变频器FR-F720P-55K

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竹中F1RHPN光纤放大器光电开关传感器

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