Ampleon代理商亿胜盈科LDMOS晶体管发射距离

BLC10G19XS-551AVZ特性：
4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能
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BLC10G19XS-551AVZ特性：
5.专为低内存效应而设计，提供数字预失真能力
6.内部匹配，便于使用

BLC10G19XS-551AVZ特性：
7.集成ESD保护
8.有关RoHS合规性
#BLC10G19XS-551AVZ

BLC10G19XS-551AVZ典型性能：
BLC10G19XS-551AVZ基站和多载波应用的射频功率放大器

LD q=370毫安峰值电压为0.85V;f=1930兆赫;PL=195瓦(5dBOBO)单载波W-CDMA;3GPP测试模型1;64DPCH;在CCDF上0.01%的概率下，PAR=7.2 dB。

测试电路：
印刷电路板(PCB):罗杰斯RO4350B;厚度-0.508毫米;两面铜度-35微米。部件清单见表11。