W25X40CVUXBG，WINBOND/华邦存储芯片

W968D6DAGX7I
256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
密度：256兆字节
Vcc： 1.8V/1.8V
频率：大时钟频率 133 MHz
封装：54VFBGA 温度范围：工业-40C~85C
功能列表：支持异步和突发操作， 随机存取时间：70ns，突发模式
读写访问：4、8、16 或 32 字，
或连续突发， 突发换行或顺序， tACLK：133 MHz 时为 5.5ns，104 MHz 时为 7ns，
低功耗特性：TCR、PAR、DPD
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25M512JVEIQ W25P16VSSIG
W25M512JVEJQ W25P20VSNIG
W25M512JVFIQ W25P240AF-6
W25N01GVZEIG W25P243AF-4A
W25N01GVZEIGTR W25P40VSNIG
W25N01GVZEIR W25Q1218BVFG
W25N01GVZEJG W25Q128BVEG
W25N01GWZEIG W25Q128BVEIG
W25N02JWZEIF W25Q128BVEIM
W25N02KVZEIR W25Q128BVFG
W25N02KVZEIRT W25Q128BVFIG
W25N512GWEKR W25Q128FVBIP
W25P16VSIG W25Q128FVEG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

NAND+LPDDR2系列：
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性：
一般描述
W25N01GW（1G 位）串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
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