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碳基集成电路可能会成为一个重要的发展趋势。技术创新。与以往相比,当前硅基CMOS技术面临着许多的重大挑战。从28nm向22nm,甚至更小特征尺寸过渡时,平面MOSFET被立体的FinFET所替代。

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