DTS焊片德国DTS替代湖南DTS
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新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,
可实现高可靠、高导电的连接的需求,很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商,在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术,
在成型技术也相当困难,由于电镀银是局部镀银,相较于全镀,部分镀银技术很难,做模具,且放置芯片处用局部银,一个导线架搭两个芯片,芯片局部银,其他引线框架用镍钯金,材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类,二者集成为功率模块(包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块)。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高,当前的封装材料已经达到了应用极限。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。