三代半加压烧结银替代日本烧结银高性价比烧结银
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目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能,碳化硅、氮化镓(射频/非射频)模块封装也向着更高的集成度方向发展。
个难题:烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中,传统有基板焊接功率模块中,焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。
由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳,影响宽禁带半导体模块的可靠性。
目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.
同时在此基础上开发出双面银烧结技术,将银带烧结在芯片正面代替了铝线,或取消底板将基板直接烧结在散热器上,大大简化了模块封装的结构。