庆阳车用尿素设备配套EDI超纯水设备安装,实验室污水处理设备

河南江宇销售：EDI 超纯水设备，纯净水设备、矿泉水设备、反渗透设备，
EDI模块结构特点 　　1、淡水隔板采用卫生级PE材料　 　　2、EDI膜片采用进口均相膜和国产异相离子交换膜 　　3、采用进口EDI均粒树脂和国产EDI均粒树脂 　　4、EDI电极板采用钛镀钌技术 　　5、压紧板采用具有硬性的合金铝轧铸而成。 　　6、固定螺丝采用国标标准件 　　7、膜堆出厂高试压7bar不漏水 　　8、膜堆电阻低、功耗小 　　9、外观装饰板造型美观结实 　　10、大膜堆处理水量3T/H，小模堆处理水量75L/H 　　11、纯水、浓水、极水通道设计合理，不易堵塞，水流分布均匀、无死角。 　　进水指标要求 　　◎通常为单级反渗透或二级反渗透的渗透水 　　◎TEA（总可交换阴离子，以CaCO3计）：<25ppm。 　　◎电导率：<40μS/cm 　　◎PH：6.0～9.0。当总硬度低于0.1ppm时，EDI佳工作的pH范围为8.0～9.0。 　　◎温度：5～35℃。 　　◎进水压力：<4bar（60psi）。 　　◎硬度：（以CaCO3计）：<1.0ppm。 　　◎有机物（TOC）：<0.5ppm。 　　◎氧化剂：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 　　◎变价金属：Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 　　◎H2S：<0.01ppm。 　　◎二氧化硅：<0.5ppm。 　　◎色度：<5APHA。 　　◎二氧化碳的总量：<10ppm 　　◎SDI 15min：<1.0。

河南江宇销售：EDI 超纯水设备，纯净水设备、矿泉水设备、反渗透设备，Edi工作原理：
Edi模块在阴阳离子交换膜之间填充离子交换树脂，形成Edi单元。EDI的工作原理如图所示。
Edi模块***一定数量的Edi单元由格栅隔开，形成浓水室和淡水室。单元组的两端设有正负电极。在直流电的驱动下，流经淡水室的水中的阴离子通过阴离子交换膜进入浓水室，并在淡水室中被去除。通过浓缩室的水将离子带出系统，变成浓缩水。
Edi设备一般采用两级反渗透（RO）纯水作为Edi给水。Ro纯水电阻率一般为40-2μs/cm（25℃）。Edi纯水电阻率可为***18
Mω。cm（25℃），但取决于去离子水的使用和系统配置设置，EDI超纯水适用于制备电阻率要求为1-18.2mΩ的纯水。厘米（25℃）。

EDI的进水要求
反渗透RO产水，电导率1-20μs/cm，允许电导率更大≤30μs/cm（NaCl）。
PH值：7.5-9
温度：15℃，35℃
进水压力（DIN）：0.15-0.4mpa
浓水入口压力（C）0 100 3MP IN）：0.10--0.3MPa
产水压力（DOUT）：0.05-0.25mpa
浓水出口压力（COUT）：0.02--0.2mpa
进水硬度：<1.0ppm（CaCO）（建议低于0.5ppm）
进水有机物：TOC<0.5ppm
进水硅：SiO2<0.5ppm
总进水CO2:<3ppm
水粒径：<1μm

反渗透设备就是指制取各领域需要的纯水处理机器设备，以膜分离技术为关键解决技术性。一般用以食品工业、化工厂自来水、工业品清理、轻工业生物化工自来水等。纯净水选用膜分离技术，依据源水体和纯净水水体的不一样，再分成单膜分离技术和双反渗透技术。简易地说，单ro反渗透是根据超滤膜过虑，双ro反渗透是根据超滤膜过虑的产水再度根据超滤膜过虑。现阶段，全部的纯净水、超纯水系统生产过程，全是不可或缺的反渗透设备，在一般纯净水的基本上，大家再度根据加工工艺组成，可以生产制造顾客需要的纯净水或超纯水系统，ro反渗透反渗透设备是不可缺少的基本机器设备。
现阶段，生产制造超纯水系统的方式 一般选用离子交换树脂生产制造，离子交换树脂的应用通常定时再造环氧树脂，既耗费化学物质资源，又消耗人力资源。通过十几年的实践活动，融合新的ro反渗透膜分离设备、EDI技术性和打磨抛光混和床技术性，运用率的膜分离技术和EDI设备制取超纯水系统。与传统技术对比，该技术具备运作低成本、运作稳定的优势。 河南江宇销售：EDI 超纯水设备，纯净水设备、矿泉水设备、反渗透设备，

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终，当edi技术性没有发生或不成熟时，选用多级别ro反渗透超纯水系统，但多级别ro反渗透超纯水系统的缺陷显著：成本相对高，维护保养不便，水体不稳定！

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半导体材料在生产过程中几乎每一个全过程都超纯水系统清理，产品工件与水直接接触。一旦水体不过关或水里带有残渣，便会减少机器设备的使用性能和生产量。超纯水系统的品质是半导体材料制造的主要基本。传统式的超纯水系统生产工艺流程选用阳离子环氧树脂互换机器设备。该工序的不足之处是环氧树脂在运用一段时间后应常常再造。伴随着膜分离设备的持续完善，超纯水系统通常选用ro反渗透加工工艺，或EDI和打磨抛光混和床加工工艺制取。水导电率可达18.2mΩ，以达到处理芯片制造行业的水要求。