青岛销售电子元器件芯引力电子BOM配单厂家 磁珠芯引力

电子元器件什么是电阻，贴片电容芯引力电子
电子元器件识别电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用多，现举例如下：四色环电阻 五色环电阻（精密电阻）。电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%）银色 / x0.01 ±10金色 / x0.1 ±5黑色 0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 / 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色 7 x10000000 ±0.1灰色 8 x100000000 /白色 9 x1000000000。
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C0R5CBCNNND三星贴片电容1206 0.5 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C0R5CBCNNNC三星贴片电容1206 0.5 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C040CBCNNND三星贴片电容1206 4 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C040CBCNNNC三星贴片电容1206 4 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C030CBCNNNC三星贴片电容1206 3 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C020CBCNNNC三星贴片电容1206 2 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C010CBCNNNC三星贴片电容1206 1 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31B822KBCNNNC三星贴片电容1206 8.2 nF 50V X7R ±10 %
CL31B822KBCNFNC三星贴片电容1206 8.2 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KOCNNNC三星贴片电容1206 680 nF 16V X7R ±10 %
CL31B684KBHWPNE三星贴片电容1206 680 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KBHNNNE三星贴片电容1206 680 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KAPWPNE三星贴片电容1206 680 nF 25V X7R ±10 %
CL31B684KAHNNNE三星贴片电容1206 680 nF 25V X7R ±10 %
CL31B683KDHNNWE三星贴片电容1206 68 nF 200V X7R ±10 %
CL31B683KBCNNNC三星贴片电容1206 68 nF 50V X7R ±10 %
CL31B682KHFNFNE三星贴片电容1206 6.8 nF 630V X7R ±10 %
CL31B682KGFNNWE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KGFNNNE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KGFNFNE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KBCNNNC三星贴片电容1206 6.8 nF 50V X7R ±10 %
CL31B681KIFNNNF三星贴片电容1206 680 pF 1000V X7R ±10 %
CL31B681KIFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 1000V X7R ±10 %
CL31B681KHFNNNF三星贴片电容1206 680 ㎊ 630V X7R ±10 %
CL31B681KHFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 630V X7R ±10 %
CL31B681KHFNFNE三星贴片电容1206 680 pF 630V X7R ±10 %
CL31B681KGFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 500V X7R ±10 %
CL31B681KBCNNNC三星贴片电容1206 680 pF 50V X7R ±10 %

电容的种类介质，电子元器件芯引力电子BOM表配单
电容的种类要按照介质种类来分。这当中可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。 陶瓷电容常用在频器件例如GPU上
选电子元器件，采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL31C470KBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470KBCNBNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470JJHNNNF三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNNE三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNCE三星贴片电容1206 47 ㎊ 2000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C471FCCNNNC三星贴片电容1206 470 pF 100V C0G ±1 %
CL31C470KBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470KBCNBNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470JJHNNNF三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNNE三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNCE三星贴片电容1206 47 ㎊ 2000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNCF三星贴片电容1206 47 ㎊ 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JGFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 500V C0G ±5 %
CL31C470JGFNFNE三星贴片电容1206 47 ㎊ 500V C0G ±5 %
CL31C470JBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±5 %
CL31C470GHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±2 %
CL31C470GHFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±2 %

为什么贴片电容有失效的可能？电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴装过程中，贴片电容为什么会出现断裂及贴片电容失效的可能？
　　1电容在贴装过程中，若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲，容易发生变形导致裂纹发生；
　　2如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份，分板时会受到分板的牵引力而导致电容发生裂纹终而失效。建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放。当我处置线路板时，建议采用简单的分割器械处置，如我生产过程中，因生产条件的限制或习惯用手工分板时，建议其分割槽的深度控制在线路板自身厚度的1/31/2之间，当超过1/2时，强烈建议采用分割器械处置，否则，手工分板将会大大增加线路板的挠曲，从而会对相关器件发生较大的应力，损害其可靠性。
　　3焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力，使其发生推力将电容举起，容易发生裂纹。
　　4焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹发生：电容在进行波峰焊过程中，预热温度，时间缺乏或者焊接温度过高容易导致裂纹发生，
　　5手工补焊过程中。烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触，容量导致裂纹发生
　　焊接完成后的基板变型（如分板，装置等）也容易导致裂纹发生
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %