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上海DTSDTS+TBC工艺DTS+TCB焊片

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目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场,在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外,由于烧结银的膜厚只有20um-50um,不像传统的锡膏搭接方式可通过锡膏量的调整补正搭接面平整度不佳造成的搭接问题,烧结银的搭接技术对于搭接处的公共平面度要求公差只有20um,对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。

GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding))能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍,并确保芯片的载流容量提高50%以上。

在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。

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