光通信行业梓冠厂家调光开关数字化

SOS工艺集成电路造价昂贵，不适合民用，人们利用工艺制程，在衬底和表面硅薄层之间插入一层绝缘层材料，研发出新的绝缘体上硅（SOI）材料：表面硅薄层—二氧化硅绝缘层材料—硅衬底，集成电路制备在表面硅薄层上。利用SOI材料制造集成电路的技术称为SOI技术。体硅衬底晶圆或者SOS晶圆，都是沿着底部单晶衬底的晶格外延生长出来的，但在SOI中，氧化物上方无法生长单晶，制造SOI晶圆，需要利用嵌入或者键合的方法形成埋层氧化物，以隔开顶层硅薄膜层和硅衬底。
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸

为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1

品名称：NxN速光开关
产品简介：
高速铌酸速光开光具有的开关速度（标准产品是10ns，速产品为<100ps），较低的插损（标准插损3.5dB，插损型号为2dB），高开关速率为亚纳秒，标准产品为10ns开关速率，产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制！

详情介绍：
高速光开关阵列的特点：本系列光开关产品为集成式低损耗，无阻断高速光开关阵列，可用于高速光切换，网络配置及光学包交换。
光电倍增管Photomultiplier Modules
产品特性：
两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口组件
具有防静电和消磁作用
变换增益：阳电流1 V/μA
链构型环形电
封装与SM1螺纹匹配
封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配
支杆可安装于3种不同组件
120V电源供应（230V可选）
SMA输出