基于以上两款焊料的不足，烧结银产品应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。
经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，大家可能对93.277MPa没有概念，作为对比，目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa，美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。
有压烧结银AS9385工艺流程： 清洁粘结界面；界面表面能太低，建议增加界面表面能；粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀；另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下； 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；
与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到266W/(m·K)。