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山东硅晶碇切片胶,碳化硅切片胶

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在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔,在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。
电沉积程序
预处理后,在不同的电流密度(4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 )下进⾏电化学沉积
(ECD)⼯艺) 在的时间段内。低电流密度条件(4 mA/cm 2)
和中等电流密度条件(7 mA/cm 2 )的电沉积间隔分别为30
min和10 min。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年,LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装, 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充,通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年, LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔,并用于 MEMS器件的封装中。

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主营:灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片
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