STM32C011F6P3，ST意法32位单片机优势原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F038C6T6
STM32F042C4U6
STM32F038C6T7
STM32F042C6U7
STM32F031F4P7
STM32F031G4U7
STM32F042F6P7
STM32F051K6U6
STM32F042K4U6
STM32F051K4U7
STM32F031C6T7
ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法单片机其他型号（部分）：
STM32F071V8T7
STM32F091VBT7
STM32F098RCH6
STM32F091VCH7
STM32F038K6U6
STM32F042G6U7
STM32F051C4U6
STM32F048C6U6
STM32F042K6U7
STM32F058C8U6
STM32F051R8H6
STM32F058R8H6
STM32F071C8U7
STM32F051R8H7
STM32F058R8H7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
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STFW2N105K5，N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW45N65M5，N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
ST意法其他部分微控制器芯片型号：
STM32G061C8T6
STM32L051R6T6
STM32L052K6T6
STM32L052C6T6
STM32L412KBU6
STM32F301K6T6
STM32L071C8T6
STM32L051C8T7
STM32L051R8T6
STM32L412R8T6
STM32L062K8T6
STM32F302K6U6
STM32L051C8T3
STM32F410CBU6
STM32F410CBT6
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