吉林半导体蔡司电子显微镜

Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上， 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外， 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压， 直至出镜筒后才减速 至设定电压， 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。

充分发挥 Gemini 2 型光学系统的性能优势
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 处 在 于 配 备 的 Gemini 2 型光学系统主要运用了双聚光镜， 在获得理想的小电子束斑同时可连续调节束 流。这使高电子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之间进行无缝切 换或更改成像参数。此操作简便快速，因为 在更改成像参数后无需进行校准，而且经调 校的扫描电镜可以保持稳定地工作。

Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外，它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如， 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品， 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。

背散射电子产生于样品表面之下，可提供 样品材质成分的衬度信息。背散射电子通 常以与入射电子束成 15 度角的圆锥状出 射， 被 Gemini 镜筒电子束推进器吸入后射 到镜筒内。由于二次电子( SE ) 与背散射 电子( BSE ) 具有不同的能量，它们会在电 子束推进器内产生不同轨迹。

大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。

强化显微镜系统
蔡司显微镜系统可采用多种方式升级：开放式的升级界面让您一直保持较高的技术水准。当新 升级的装备付诸应用时，不仅能延长显微镜的使用寿命，还能提高工作效率。