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高可靠烧结银江苏烧结银日本烧结银替代

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随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高,对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高,特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。

①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;

下一条:上海DTSDTS+TCB预烧结工艺DTS烧结银盘
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