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单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分:机架,双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源:全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器,构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关(ZVS)及CPU控制技术,提高了电能转换效率,不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统:采用PLC和上位工业平板电脑PC机,配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA监控系统”,可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。
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本发明的直拉式单晶生长炉中,经 输入管输入的气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量为30L/min。 该流量不但不影响该炉中单晶的生长,平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L,有效降低了生产成本,且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性,还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中,碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和炉底部的排气口之间,且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石 墨中轴及一对电极孔配合设置,有效地减小了炉内空间,便于迅速及时地 将炉内的一氧化硅与的混合气体排出,且利于减少热能和的消耗量,使原有的引晶功率从65KW减到61KW;另外,由于该炉的排气口与气流 导向装置的各通气孔相连通,分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,具体地,为了减小螺钉16的上端部与上减震橡胶垫172之间的压强,进而延长上减震橡胶垫172的使用寿命,所述螺钉16的上端部和上减震橡胶垫172之间设置有垫片173。在本实施例中,所述螺钉16设置有四个,为了当不再继续加料时,可以更方便地将外部化料器7提升不干涉主炉室坩埚21上升的位置,并方便外部化料器7的移动、拆解和清理,连续拉晶单晶炉还包括化料器升降驱动装置和化料器旋臂18,所述底座1上设置有立柱10,所述化料器旋臂18铰接在立柱10上,所述化料器升降驱动装置连接在化料器旋臂18上,所述外部化料器7连接在化料器升降驱动装置上,以便在不继续加料时,通过化料器升降驱动装置驱动外部化料器7上升不干涉主炉室坩埚21上升的位置;和化料器升降驱动装置及外部化料器7随化料器旋臂18一起转动。

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