DTS+TCB焊片美国DTS替代江苏DTS

目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场，在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外，由于烧结银的膜厚只有20um-50um，不像传统的锡膏搭接方式可通过锡膏量的调整补正搭接面平整度不佳造成的搭接问题，烧结银的搭接技术对于搭接处的公共平面度要求公差只有20um，对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。

在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。

目前，客户存的大痛点是键合时良率低，善仁新材推出的DTS预烧结焊片优势是：提高芯片的通流能力和功率循环能力，保护芯片以实现高良率的铜线键合。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以广泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering（扩散焊）技术。简而言之，就是在特定温度和压力条件下，使得SiC芯片的背面金属，与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散，形成可靠的冶金连接，以釜底抽薪之势，一举省去中间焊料，所谓大道至简、惟精惟一，惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之：采用了GVF预烧结银焊片时，降低器件稳态和瞬态热阻，同时提高器件可靠性。

在能源效率新时代，SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大的发展空间。