LM48557TL/NOPB，模拟输入陶瓷扬声器驱动器现货商

TPS259541DSGR
采用小型 WSON 封装、具有过压保护功能的 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 至 4A 电子保险丝
封装信息
封装 | 引脚
WSON (DSG) | 8
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
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TI德州仪器电源管理-MOSFET管
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CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
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CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD18532Q5BT
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CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
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TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性：
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TPS3435-Q1 汽车类纳安级静态电流精密看门狗计时器
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TPS3760 具有感应功能、低静态电流和延迟的 65V 过压或欠压监控器
TPS389006-Q1 汽车类多通道过压和欠压 I²C 可编程电压监控器和监测器
TPS37 具有低静态电流和延时功能的 65V 窗口监控器
TPS37-Q1 具有低静态电流和延时功能的汽车 65V 窗口监控器
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BQ25628 具有升压模式和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25629 具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25622 具有 18V 大输入、电流限制、ADC 和 OTG 的 I²C 控制型单芯 3.5A 降压电池充电器
BQ25176M 适用于单节锂离子和磷酸铁锂电池且具有 VINDPM 的 800mA 线性电池充电器
BQ25620 具有 18V 大输入、集成 ADC 和 OTG 输出的 I²C 控制型单芯 3.5A 降压电池充电器
BQ25172 采用 QFN 封装的 0.8A、1 至 6 节镍氢电池立线性充电器
BQ25181 采用 QFN 封装且具有电源路径的 I²C 可编程单节 1A 线性锂离子电池充电器
BQ25180 采用 WCSP 封装且具有稳压电源路径的 1A 锂离子和磷酸铁锂 I²C 可编程线性充电器
BQ25173 适用于 1 至 4 节超级电容器电池的 800mA 线性充电器
TI/德州仪器其他更多音频功率放大器型号：
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LM4866LQ/NOPB
LM4866MT/NOPB
LM4866MTE
LM4866MTEX
LM4867MTEX/NOPB
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LM4871MM/NOPB
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TI德州仪器逻辑 IC产品分类：
总线终端阵列
数字算术 IC
数字多路信号分离器和解码器
数字多路复用器和编码器
数字计时 IC
FIFO 内存 IC
单稳多谐振荡器（单稳态）
可编程逻辑电路
应用（包括汽车、工业和个人电子产品）
TI/德州仪器其他更多音频功率放大器型号：
LM4810MMX/NOPB
LM4811LD
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LM4817MHX/NOPB
LM4818MX/NOPB
LM4819LD/NOPB
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LM4819M/NOPB
LM4819MM
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LM4819MX
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