三倍频耐压试验装置三倍频耐压发生器定制定做
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- 更新：2024-10-17
- 地区：全国
- 名称：三倍频发生器,多倍频发生器,感应耐压试验装置,电子式多倍频发生器
三倍频耐压试验装置 三倍频耐压发生器定制定做下面举集电极调幅电路为例。是集电极调幅电路，由高频载波振荡器产生的等幅载波经T1加到晶体管基极。低频调制信号则通过T3耦合到集电极中。CCC3是高频旁路电容，RR2是偏置电阻。集电极的LC并联回路谐振在载波频率上。如果把三极管的静态工作点选在特性曲线的弯曲部分，三极管就是一个非线件。因为晶体管的集电极电流是随着调制电压变化的，所以集电极中的2个信号就因非线性作用而实现了调幅。由于LC谐振回路是调谐在载波的基频上，因此在T2的次级就可得到调幅波输出。
HNBP-5电子式三(多)倍频电源发生器
系列三倍频电源发生器是利用磁路的饱和特性，取出谐波中分量大的三次谐波电压，作为发生器的电源，对感应线圈式的电气产品作匝间、段间、层间的倍频、倍压试验；以考核线圈的绝缘强度、耐压水平。
一、概述
变压器和互感器的感应耐压试验是产品质量符合标准的一项重要试验。变压器绕组的匝间，层间，段间及相间的纵绝缘感应耐压试验，则是变压器绝缘试验中的重要项目。纵绝缘试验需要通过倍频电源装置，施加试验电压，进行耐压试验。
DBP电子式多倍频试验装置是为满足上述要求而设计制造，经过广大用户使用证明：其操作简单，性能可靠，能较好地满足变压器、互感器感应耐压试验的需要。
二、技术参数
1. 装置容量：5kVA。
2. 输入电压：AC，三相，380V±10%。
3. 电源频率：50Hz。
4. 输出电压：0 ～ 400V
5. 输出频率：50Hz，100Hz，150Hz，200Hz（可选）。
6. 波形畸变率：<3%。
三、装置特点原理及容量确定
1、特点及原理
该装置采用电力电子技术，内部核心部分使用变频调节器。参数预置、保护设置、频率选择、电压调节控制等，采用数字控制技术。内置计算机，8寸彩色液晶显示，数据存储可达到200组。
采用触摸式操作方式，可预置50Hz、100Hz、150Hz、200Hz的试验频率（可选），触摸方式调节电压（步长可以实时调节，选择1V、2V、5V、10V），可实现本装置的多倍频试验电压输出。
由于摒弃了传统的三相五柱式三倍频发生器的产生原理，由此带来了如下几个优点：
1. 体积小、重量轻，便于携带，便于大功率化。hnhy217
2. 不只是产生三倍频，还能产生1、2、3、4倍频的试验电压输出。
3. 操作、接线简单，对现场试验电源容量的要求，有很大程度的降低。
2、装置容量确定
多倍频型号选择5kVA/400V
技术参数输入电压 三相380--420V 频率:50HZ
输出电压 单相/0~600V(连续可调) 频率:150HZ
输入容量 15KVA
输出容量 10 KVA及以上 谐波失真：＜5%-8%
空载运行时间 ≤5分钟
额定电压下的被试品持续时间 40秒
特点及原理
该装置采用电力电子技术，内部核心部分使用变频调节器。参数预置、保护设置、频率选择、电压调节控制等，采用数字控制技术。内置计算机，8寸彩色液晶显示，数据存储可达到200组。
采用触摸式操作方式，可预置50Hz、100Hz、150Hz、200Hz的试验频率（可选），触摸方式调节电压（步长可以实时调节，选择1V、2V、5V、10V），可实现本装置的多倍频试验电压输出。
由于摒弃了传统的三相五柱式三倍频发生器的产生原理，由此带来了如下几个优点：
1. 体积小、重量轻，便于携带，便于大功率化。
2. 不只是产生三倍频，还能产生1、2、3、4倍频的试验电压输出。
3. 操作、接线简单，对现场试验电源容量的要求，有很大程度的降低。
售后服务
1) 该套设备到货后，根据供需双方合同中该套设备调试相关事宜的条款，如有调试需要，供方负责该套设备相关技术人员的现场技术支持服务。指导并协助需方完成该套设备的次现场验收试验以及需方相关操作人员的技术培训。需方验收合格后，应填写供方提供的设备《验收/维修报告》（见附表）作为需方已完成验收的凭证。
2) 供方对该套设备实行保修，保修期为出厂之日起一年，保修期内负责该产品（设备主体，不含配线等易耗附件）的免费检查、零部件更换。
3) 超过保修期一年的产品供方提供维护。一年以上，三年以内供方免维修工时费只收取维修成本费用。三年以上则按正常程序计费（维修工时费、材料费、及附加）。
4) 实行全天候技术响应服务，在接到需要关于该套产品使用过程中出现问题的或传真后8小时内给予技术解决方案。
5) 如因人为操作不当或不可抗力等因素造成的设备损坏或无法使用则不在此质保范围。
三倍频耐压试验装置 三倍频耐压发生器定制定做中电阻R1和R2的取值使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。