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宽带InGaAs光电探测器

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宽带InGaAs光电探测器    

Broadband InGaAs Photo-diode 

宽带InGaAs光电探测器由光电探测器芯片和偏置电路组成,饱和光功率可达10dBm,小型化,可原位替换EM169,标准SMA射频口输出。

The broadband InGaAs photodiode is consists of a photodiode chip and a basic circuit,with the saturation optical power can reach to 10dBm,miniaturized and can in-situ Replace EM169,standard SMA RF port output.                                           


〖大值额定参数Absolute maximum rated parameter〗

参数

Parameter

符号

Symbol

条件

Condition

小值

Min

大值

Max

单位

Unit

工作电压

Operating voltage

Vpd

3

9

V

储存温度

Storage temperature

Ts

-55

85

工作温度

Operating temperature

To

-40

70

大接收光功率

Maximum received optical power

PIN

10

dBm

〖性能参数Performance Parameter〗

参数

Parameter

符号

Symbol

条件

Condition

小值

Min.

典型值

Typ.

大值

Max.

单位

Unit

饱和光功率

Saturation optical power

PS

10

dBm

调制带宽

The modulation bandwidth

BW

0.1

20

GHz

幅度平坦度

Amplitude flatness

AF

2

dB

响应度

Responsivity

Re

0.85

uA

波长

Wavelength

λ

1260

1310/1550

1625

nm

输出阻抗

Output impedance

ROUT

50

Ω

光接口

Optical interface

FC/A PC(可定制)

FC/A PC(Can be Customized)

光纤类型

Fiber type

标准单模光纤,光纤直径0.9mm,光纤长度1m

Standard single mode fiber,Diameter 0.9mm,length 1m

射频接口

Radio frequency interface(RFI)

SMA

尺寸

Size

17.78mm x 12.7mm x 8.9mm

 

 


下一条:1250-1650nmSLED超宽带光源
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主营:光开关,衰减器,延迟线,光无源器件
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