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接近纯的ITO薄膜的电阻率,FPD和导电玻璃的尺寸都相当火,导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_,为了提高靶材的利用率,开发了不同形状的ITO靶材,如圆柱形等,2000年,国家发展员会、科学技术部在《当前发展的信息产业领域指南》中,ITO大型靶材也列入其中,存储用,在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长。可反复无接触擦写的特点,如今开发出来的磁光盘。

[1]。发展众所周知。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关,随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进,靶材技术也应随之变化,如Ic制造商.近段时间致力于低电阻率铜布线的开发。预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜。这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外,近年来平面显示器(FPD)大幅度取代原以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场.亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面,高密度、大容量硬盘,高密度的可擦写光盘的需求持续增加.这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。

陶瓷靶材,ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶,、二氧化铪靶,二硼化钛靶,二硼化锆靶。三氧化钨靶,三氧化二铝靶五氧化二钽。五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶。氮化硅靶,氮化硼靶。氮化钛靶,碳化硅靶。铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等,合金靶材。铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi、铬硅靶CrSi、锌铝靶ZnAl、钛锌靶材TiZn、钛铝靶TiAl、钛锆靶TiZr、钛硅靶TiSi、钛镍靶TiNi、镍铬靶NiCr、镍铝靶NiAl、镍钒靶NiV、镍铁靶NiFe等。

光纤是光通讯科技与产业的基础,高纯四氯化锗是高品级石英系光纤不可缺少的关键原料。四氯化锗作为石英系光纤中的主要掺杂剂,其用途是提高光纤的折射指数,降低光损耗。进而提高光纤的传输距离,锗在光纤中的分布和含量决定了光纤的关键性能指标。所以其本身的质量直接影响光纤的性能和质量,四氯化锗可由氯化氢来提纯,这个过程可以去除砷和其他类似的杂质,在-30℃到30℃的温度范围内用无水氯气来提纯。但这个方法不能除去含氢杂质,在1000℃高温下四氯化锗中的氢原子被氯气氯化成氯化氢,从而去除含氢杂质。采用沸石来除去气体(包括四氯化锗气体)中的水分子。

搭配上聚光光学组件从而使其应用领域开始扩大,并且正在以较快的速度普及。CIGS薄膜太阳能电池是第三代太阳能电池。具有生产、安装、使用成本低,光电转换率高的优势,因而在众多太阳能电池产品中成为发展快的一族,虽然世界上已投产或在建的CIGS工厂已超过40多家。但金属镓在CIGS的原材料中所占比重仅为5%—10%。随着CIGS生产规模的扩大,该行业对金属镓的需求会有明显增长,在原子能工业中。镓可以作为热传导物质。将反应堆中的热量传导出来,此外。镓还可以吸收中子。从而达到控制中子数目和反应速度的效果,碘化镓应用到高压水银灯镓还可以用来制造阴极蒸汽灯。

其名源自tellus。意为“土地”,1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现,碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾;不溶于冷水和热水、二硫化碳,高纯碲以碲粉为原料,用多硫化钠抽提精制而得,纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体,即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏,[4]。碲的两种同素异形体中,一种是晶体的碲,具有金属光泽,银白色。

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