常州氮化镓二极管价格

GaN基光电器件已经商业化，而GaN HEMT拥有如此出色的功率特性，但仍没有实现商品化，除了与其相竞争的半导体器件己经牢牢占据了市场，其成本较高以及人们心里层面的问题外，重要的还是因为还有需要解决的问题。相对于Si和其它Ⅲ－Ⅴ族技术，如SiC技术，GaN技术仍不成熟。而且，对GaN HEMT的长期稳定性和可靠性也了解甚少。GaN HEMT漏极电流受频率影响而发生变化，存在漏极电流崩塌现象。该现象影响器件的大RF漏极电流，使其远小于同一或相似器件直流情况下所得到的大电流。

氮化镓（化学式GaN）被称为“半导体材料”，可用于制造用途广泛、性能强大的新一代微芯片。属于所谓的宽禁带，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV（电子伏）的半导体，它是一种用于发展率、大功率微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。

氮化镓（GaN，gallium nitride）是一种具有半导体特性的化合物，其研究可追溯到上世纪九十年代。使用GaN制造的电子组件包括二极管，晶体管和放大器，它与硅（这也是此前我们听过的流行的一种半导体材料）属于同一元素周期族。GaN具有更宽的“带隙（band-gap）”，带隙本质上衡量的是能量通过材料的难易程度，因此与硅基电子产品相比具有许多优势。