TMP422AQDCNRQ1，TI原装集成电路

TI德州仪器接口芯片分类CAN、LIN 收发器和 SBC：
汽车 CAN 收发器
汽车 LIN 收发器
系统基础芯片
3.3V CAN 收发器
5V CAN 收发器
隔离式 CAN 收发器
SN65HVD233-EP
增强型产品 3.3V CAN 收发器
SN65HVD233-Q1
正在供货
3.3V 汽车类 CAN 总线收发器
TI德州仪器部分型号：
SN74AUP2G17DCKR SN65LVDS104PWR
SN74AUP2G32DCUR SN65LVDS108DBTR
SN74AVC2T245RSWR SN74AHC1G32DBVR
SN74AVC4T245PWR SN74AHC1G32DCKR
SN74AVC4T245RSVR SN74AUC1G08DCKR
SN74AVC4T774RSVR SN74AUC2G66DCTR
SN74CB3Q3125PWR SN74AUP1G04DPWR
SN74CB3Q3253PWR SN74AUP1G07DCKR
SN74CB3Q3257PWR SN74AUP1G14DCKR
SN74CB3Q3305PWR SN74AUP1G17DCKR

TI德州仪器音频 IC
TAS5558DCAR
具有 SRC 和 PWM 输出的 8 通道高清兼容音频处理器
TAS5558 的特性
一般特性
8 通道异步采样率转换器
针对 32-192kHz（ARSC 至 96kHz）的 8 通道音频处理
频率为 192kHZ 的 4 通道本地音频处理
用于实现 DTS-HD 兼容性的 30kHz 音频带宽
用于总体系统功率控制的能量管理器
电源音量控制
TAS5558 的说明
TAS5558 是一款具有数字音频处理功能和采样率转换器的 8 通道数字脉宽调制器 (PWM)，具备的性能和较高的系统集成度。 TAS5558被设计用于支持 DTS-HD 规格蓝光 HTiB 应用。 ASRC 包含两个立的模块，每个模块可处理 4 个通道。 因此，它能够支持多达两个不同的输入采样率。

CC2640F128RGZR蓝牙微控制器MCU
具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低功耗 Bluetooth® 无线 MCU
CC2640 的特性
强大的 ARM Cortex-M3
EEMBC CoreMark评分：142
高达 48MHz 的时钟速度
128KB 系统内可编程闪存
ROM 中的 TI-RTOS 和 蓝牙软件
高达 28KB 系统 SRAM，其中 20KB 为低泄漏静态随机存取存储器 (SRAM)
8KB SRAM，适用于缓存或系统 RAM 使用
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线升级 (OTA)
TI德州仪器其他部分蓝牙产品型号：
CC2640F128RGZR CC2640F128RHBR
CC2650F128RHBR CC2650F128RGZR
CC2650F128RSMR CC2630F128RGZR
CC2652R1FRGZR CC2640R2FRSMR
CC2650F128RHBT CC2630F128RHBR
CC2640R2FYFVT CC2640F128RSMR
CC2640R2FRGZR CC2640R2LRGZR
CC2630F128RGZT CC2640R2FTRGZRQ1

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力