低温纳米银烧结机理及其性能研究
近年来，纳米银颗粒在三代半封装和电子技术领域中应用已有较多的研究，善仁新材通过采用复合纳米颗粒来改善纳米银烧结体导热、导电和服役可靠性等性能。
烧结的驱动力均为纳米银化学势能或表面能的降低，主要是质量通过从高能量区域迁移到低能量区域来实现的。表面、界面以及晶界的表面能大小依赖于纳米银颗粒的曲率。通过降低它们的曲率来消除或减少界面，纳米银的整体能量得以降低。
复合纳米银膏烧结互连结构可靠性研究
现阶段对于纳米银膏烧结体在较高温度区间的热膨胀行为还鲜有研究，对于纳米银在其烧结温度的环境中长期服役的可靠性研究尚不充分。在已有的研究中，纳米银膏的服役可靠性往往是在低于或接近于其烧结温度的条件下测试的，而第三代半导体器件的服役温度往往纳米银膏的烧结温度。
善仁新材研究表明：由于单一尺寸纳米银膏的烧结体孔隙率高、晶粒尺寸小，当服役温度其烧结温度时纳米银烧结体有可能会发生继续烧结，从而引起烧结体收缩，使得界面间的热机械应力骤然增大，进而导致器件失效。
在150-270℃烧结的复合纳米银烧结互连结构中的纳米银层显微组织致密均匀，并且与两侧银镀层形成牢固的冶金接合。当烧结温度为270℃时复合纳米银膏烧结互连结构的平均剪切强度可达41.80MPa，并且在经过1000个周期的高温热循环（50-200℃）之后其平均剪切强度依然可达29.85MPa。
5 羟基可以取代纳米银颗粒表面的有机酸根，破环纳米颗粒之间的电离平衡和空间位阻效应从而导致纳米银颗粒失稳，颗粒之间产生接触从而在室温下发生快速烧结。善仁新材研发的厚度为1.7μm的复合纳米银墨水印刷图案在羟基作用下室温烧结的电阻率可以达到5.64μΩcm。