MSP430F6721AIPNR，TI原装集成电路

SN74HC595PWR
具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
TI德州仪器逻辑 IC产品其他部分型号：
SN74HCT541DWR SN74HCS574QPWRQ1
SN74HCS264QDRQ1 SN74HC138DR
SN74HC365DR SN74HC21DR
SN74HCS08QDRQ1 SN74HC00PWR
SN74HCT08DR SN74HC08QDRQ1
SN74HC14DBR SN74HCT245DWR
SN74HCT00DR SN74HCS08PWR
SN74HCS08QDYYRQ1 SN74HC00DR
SN74HC164DR SN74HC74DR
SN74HC573NSR SN74HCS7266PWR
SN74HCS09QDRQ1 SN74HC04PWR
SN74HC14DR SN74HC393NSR
更多产品型号请联系咨询

TI德州仪器逻辑 IC产品分类：
总线终端阵列
数字算术 IC
数字多路信号分离器和解码器
数字多路复用器和编码器
数字计时 IC
FIFO 内存 IC
单稳多谐振荡器（单稳态）
可编程逻辑电路
应用（包括汽车、工业和个人电子产品）
部分罗辑IC型号:
SN74HC541N SN74HC42DR
SN74HC540PWR SN74HC595PWR
SN74HC21QPWRQ1 SN74HC08DR
SN74HC126PWR SN74HCS14BQAR
SN74HCS14DR SN74HC4060PWR
SN74HCT373N SN74HC4851QDRQ1
SN74HC02DBR SN74HC04N
SN74HC27N SN74HCT244NSR
SN74HCT00D SN74HC563DWR
SN74HC14PWR SN74HC595N
SN74HC595DR SN74HC595DBR
SN74HC125DR SN74HC14QDRQ1
SN74HC273NSR SN74HC4851PWR
SN74HC244NSR SN74HC157DR
SN74HC373NSR SN74HC126PWT

部分产品特性：
SN74HCT541DWR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
SN74HCT08DR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

主营产品：MCU单片机、存储芯片、晶振谐振器、滤波双工器、传感器、射频芯片、电源管理芯片、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、安防监控芯片、WIFI芯片、汽车芯片。
DS90UB927QSQX/NOPB
具有双向控制通道的 5MHz - 85MHz 24 位彩色 FPD-Link III 串行器
DS90UB927Q-Q1 的特性
双向控制通道接口，可连接到 I2C 兼容串行控制总线
低电磁干扰 (EMI) FPD-Link 视频输入
支持高清 (720p) 数字视频格式
支持 5MHz 至 85MHz 像素时钟 (PCLK)
支持 RGB888 + VS、HS、DE 和 I2S 音频
多达 4 个针对环绕立体声应用的 I2S 数字音频输入
4 条具有 2 个引脚的双向通用输入输出 (GPIO) 通道
通过 1.8V 或 3.3V 兼容 LVCMOS I/O 接口实现 3.3V 单电源运行
长达 10 米的交流耦合屏蔽双绞线 (STP) 互连
具有嵌入式时钟的直流均衡和扰频数据

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力