江苏南京中科微Si12T12通道电容传感器规格书
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- 更新：2024-12-25
- 地区：浙江杭州
- 名称：Si12T电容传感器,触摸屏幕应用,薄膜开关应用,控制面板应用,移动应用,门锁应用,键盘应用
- 联系：杨胡平 13332949085
Si12T特性
·工作模式下功耗电流 69.7 µA（@3.3 V）
·睡眠模式下功耗电流 3.5 µA（@3.3 V）
.支持上电复位
Si12T额定值：
电池供电电压 5.0 V
任何 pin 上的大电压 VDD+0.3
任何 PAD 上的大电流 100 mA
耗散功率 800 mW
贮存温度 -50 ~ 150 ℃
工作温度 -20 ~ 75 ℃
结温 150 ℃
Si12T产品参数：
上电复位：通过外部电阻可调节内部频率
自动校准灵敏度功能的 12 通道电容传感器：支持 I²C 串行接口