TLC555QDRQ1，TI德州仪器原装供应商

TPD2E009DRTR：
具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TPS259827LNRGET产品描述：
具有负载电流监测和可调节瞬态故障管理功能的 2.7V 至 24V、2.7mΩ、15A 电子保险丝
TPS25982 的说明：
TPS25982 系列电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。这些器件可在宽输入电压范围内工作。单个器件适用于需要小 I*R 压降的低电压系统以及需要低功率耗散的高电压、高电流系统。它们能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。
更多其他型号：
TPD2E009DRTR TPS22965QWDSGTQ1
TPD3F303DQDR TPS24700DGK
TPD4E002DRLR TPS259231DRCT
TPD4S214YFFR TPS259520DSGR
TPS2001CDGKR TPS259520DSGT
TPS2001CDGNR TPS259824LNRGER
TPS22922YZPR TPS259824ONRGET
TPS22925CYPHR TPS259827LNRGET
我们只做原装，欢迎咨询合作！

LM5164和LM5164-Q1加入了德州仪器高度集成的宽VIN DC/DC转换器产品系列，使设计人员能够以更小封装大限度地提供功率。 LM5164的主要特性和优点 · 收缩电路板空间：新器件的热效率、小外型集成电路（SOIC）PowerPAD™封装尺寸为5 x 6 ，比竞争产品尺寸小30%。设计人员可以使用LM5164创建一个105 2的完整电源设计，比竞争产品尺寸小10%以上。 · 高轻载效率：Lm5164提供极低的10-μA典型待机静态电流。与竞争对手的解决方案相比，这可实现10%的轻载效率，可在1-mA负载时实现24 V至5 V转换，并延长电池寿命。
部分型号：
TPS7B6833QPWPRQ1 LM22675MRX-5.0/NOPB
TPS92641PWPPB LM2841XMKX-ADJL/NOPB
TPS92641PWPR/ NOPB LM2940LD-5.0/NOPB
UCC21220AD LM3431AQMHX/NOPB
UCC21540ADWR LM3940IMP-3.3/NOPB
UCC27201DDA TPS92641PWPR/NOPB
UCC27211ADRMT LM5017MR/NOPB
UCC27425QDRQ1 LM5066IPMHXPB
UCC27517DBVT LM74700QDBVTQ1
UCC27524AQDRQ1 LT6108HDCB-1#TRPBFADI20k
UCC2800QDRQ1 PCA9536DP,118
UCC2813QDR-4Q1 SN74LVC244ARGYR
UCC28600DR SN74LVC32244ZKER
UCC5350SBD STM32G431CBT3TR
WL1801MODGBMOCR TK1R4F04PBOSHIBA
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TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询