台州MOSFET二极管联系方式

MOSFET（包括SiC-MOSFET）在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言，体二极管的性能是其中一个重要参数，在实际应用中起着至关重要的作用。

在SiC-MOSFET中，当向漏极施加负电压时，以源极为基准，体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性，即MOSFET处于关断状态，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的，SiC具有更宽的带隙，因此其体二极管的Vf比Si-MOSFET大得多。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

功率MOS场效应晶体管的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。