山西纳米级蔡司电子显微镜

Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上， 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外， 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压， 直至出镜筒后才减速 至设定电压， 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。

充分发挥 Gemini 2 型光学系统的性能优势
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 处 在 于 配 备 的 Gemini 2 型光学系统主要运用了双聚光镜， 在获得理想的小电子束斑同时可连续调节束 流。这使高电子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之间进行无缝切 换或更改成像参数。此操作简便快速，因为 在更改成像参数后无需进行校准，而且经调 校的扫描电镜可以保持稳定地工作。

• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。

产品应用领域
■ 金属 / 高分子 / 陶瓷材料
表面粗糙度分析, 高分辨金相分析, 摩擦磨损分析, 断口分析, 腐蚀研究, 原位分析。
■ 微纳加工
结构分析,表面粗糙度分析, 高深宽比结构表征,膜厚测量。
■ 半导体和微电子
表面缺陷定位和分析、发光缺陷观察,表面粗糙度分析,膜厚测量等。
■ 医疗器械检测
表面粗糙度分析,金相分析,膜厚测量,微生物观察等。
■ 生物材料和医学
金属表面细胞生长研究, 微生物金属腐蚀研究, 植入物表面细菌生长表征等。

成像灵活.光学显微镜和共聚焦显微镜二合一
■ 实现反射光和透射光的观察, 同时也可进 行形貌表征;
■ 使用宽场观察方式实现样品的定位, 便于 共聚焦显微镜进—步原位分析;
■ 无需切换显微镜, 减少仪器设置时间, 提 高获得结果的效率。