具备4nm及以上制程芯片晶圆制造工艺TEM的检测机构-广电计量

广电计量的TEM技术团队，通过运用娴熟的TEM制样技术，充分发挥了机台的性能，在没有layout且工艺信息未知的情况下，制备出了的4nm制程芯片的TEM样品，并完成了关键结构的成分分析与数据分析，展现了良好的制程芯片工艺TEM分析方面的实力。
广电计量组建了一支由博士的显微分析技术团队，拥有的芯片破坏性物理分析和芯片显微结构分析能力，配备了TEM、DB FIB等的显微分析设备，可以为客户提供的半导体器件解剖、7nm及以下工艺制程TEM分析服务。服务的客户遍布国内一线晶圆厂（14nm工艺制程）、芯片设计公司、激光器芯片设计研发公司、封装厂、半导体设备研发、半导体器件研发、高校科研院所等。服务的产品类型包括硅片晶圆、芯片、VCSEL激光器、光学器件、功率器件、存储器芯片等。

什么是TEM？
透射电子显微镜 ---- Transmission Electron Microscope
根据德布罗意提出的运动的微观粒子具有波粒二象性的观点，电子束流也具有波动性，而且电子波的波长显
然比可见光要短得多，如果用电子束作光源制成的显微镜将具有比光学显微镜的分辨能力强。更重要的是，由于电子在电场中会受到电场力运动，以及运动的电子在磁场中会受到洛伦兹力的作用而发生偏转，这使得使用科学手段使电子束聚焦和成像成为可能。
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构，具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能。
透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）原位的电子衍射分析（Diff），发展到还可以进行原位的成分分析（能谱仪EDS、特征能量损失谱EELS ）、表面形貌观察（二次电子像SED、背散射电子像BED）和透射扫描像（STEM）。
结合样品台设计成高温台、低温台和拉伸台，透射电子显微镜还可以在加热状态、低温冷却状态和拉伸状态下观察样品动态的组织结构成分的变化使得透射电子显微镜的功能进一步的拓宽。
★ 原理：电子束的波长要比可见光和紫外光短得多，并且电子束的波长与发射电子束的电压平方根成反比，也就是说电压越高波长越短。目前TEM的分辨力可达0.2nm。透射电子显微镜与光学显微镜的成像原理基本一样，所不同的是前者用电子束作光源，用电磁场作透镜。另外由于电子束的穿透力很弱，因此用于电镜的标本须制成厚度约50nm左右的超薄切片。
★ 对样品的要求：由于TEM得到的显微图像的质量强烈依赖于样品的厚度，因此样品观测部位要非常的薄，例如存储器器件的TEM样品一般只能有10~100nm的厚度，这给TEM制样带来很大的难度。TEM制样的另一个问题是观测点的定位，一般的制样只能获得10mm量级的薄的观测范围，这在需要定位分析的时候，目标往往落在观测范围之外。目前比较理想的解决方法是通过聚焦离子束刻蚀(FIB)来进行精细加工。

设备能力介绍
TEM设备


TEM型号：Talos F200X
参数
1、电子枪：X-FEG
200Kv时亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
2、EDS类型/面积：Super-X(120mm²)
3、HRTEM信息分辨率：0.12 nm
HRSTEM分辨率：0.16 nm
★

TEM样品制备设备DB FIB
DB FIB型号：Helios 5 CX
参数
1、离子源：液态镓离子源
2、EDS类型/面积：
Ultim Max65/65mm²
3、离子束分辨率：2.5 nm@30Kv
4、电子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,
0.6nm@15Kv

TEM分析
FIB制样