MVI56-PDPMV1温度监测器

MVI56-PDPMV1  温度监测器 

MVI56-PDPMV1  温度监测器 

MVI56-PDPMV1  温度监测器 

Mushroom Communication Module misplacement H F PN 312043 

Simatic S5 AO470 6ES5 470-7LC12 

Simatic S5 AO470 6ES5 470-4UB12 

Siemens SIMATIC Digital Output 6es7 132-4fb01-0ab0 

Siemens SIMATIC Digital Output 6es7 132-4bd30-0ab0

Simatic S5 CPU102 6ES5 102-8MA02

Indramat Module DSM02.3-FW FWC-DSM2.3-SSE-01V06-MS 

IFM Level Sensor LK7022 LK0264A-A -00 

Emotron Load Sensor EL-FIM10 + CTM025

IPF Electronic Capacitive Sensor CN 30 60 50 

Sensopart Distance Sensor FT 50 RLA-40-F-L4S 574-41001

Schmersal Safety Relay AES 2335 1180843 

MTS position sensor Temposonics GHM0350MD601A0

是逆变器直通。这可能是由于不正确开启其中一条逆变器桥臂的两个IGBT所导致的，而这种情况又可能是因为遭受了电磁干扰或控制器故障。它也可能是因为臂上的其中一个IGBT磨损/故障导致的，而正常的IGBT保持开关动作。

2是相对相短路。这可能是因为性能下降、温度过高或过压事件导致电机绕组之间发生绝缘击穿所引起的。

3是相线对地短路。这同样可能是因为性能下降、温度过高或过压事件导致电机绕组和电机外壳之间发生绝缘击穿所引起的。一般而言，电机可在相对较长的时间内(毫秒到秒，具体取决于电机尺寸和类型)吸收的电流；然而，IGBT——工业电机驱动逆变器级的主要部分——短路耐受时间为微秒级。

IGBT短路耐受能力

IGBT短路耐受时间与其跨导或增益以及IGBT芯片热容量有关。更高的增益导致IGBT内的短路电流更高，因此显然增益较低的IGBT具有较低的短路电平。然而，较高增益同样会导致较低的通态导通损耗，因而作出权衡取舍。IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。

另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围是10μs，但近年来的趋势是在往5μs3以及某些条件下低至1μs方向发展。

此外，不同器件的短路耐受时间也有较大的不同，因此对于IGBT保护电路而言，通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量。