泉州高纯铝杂质分析成分检测中心,成分分析

2陶瓷靶材。ITO靶、AZO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶。铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材，3合金靶材。镍铬合金靶、镍钒合金靶、铝硅合金靶、镍铜合金靶、钛铝合金、镍钒合金靶、硼铁合金靶、硅铁合金靶等高纯度合金溅射靶材，在靶材制造的过程中，需要经历粉末冶炼、粉末屁合、压制成型、气氛烧结、塑性加工、热处理、超声探伤、机械加工、水切割、机械加工、金属化、绑定、超声测试、超声清冼、栓验出货。

电导率高。薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l，但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起，一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材，而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序，采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8．1×10n-cm。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。

而未米的018um}艺甚至013m工艺。所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足，导体工艺在025um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路，为了解决以上这些问题。需要在铜与介质层之间设置阻挡层，阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于50nm。与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。

因此铋就成了替代铅的材料，5、蓄电池：在铅酸蓄电池中加入0015％～003％的铋。可以使蓄电池在充放电等性能上均有大的改善和提高，国外蓄电池发展的国家已将其作为发展方向加以实施和推广。6、高纯超细氧化铋：高纯超细氧化铋应用于制造新型陶瓷和半导体。还可用于颜料、涂料的制备和铋基氧化物超导体的研制和开发。7、温差半导体材料：温差材料可以应用在太阳能温差发电元件和温差制冷元件。铋的某些金属化合物如(Bi，Sb)2(Te，Se)3等，特别是以Bi2Te3为基础的固溶体合金，是目前公认的好的半导体制冷材料。

铋系超导材料近年来一直是国际上研究的热点。铋锶钙铜超导线目前已经成为四大超导材料系列之一，3、核燃料冷却剂：核反应堆离不开铋，铋吸收X射线的能力与铅大体相当。但是吸收热中子截面小而熔点较低，因此LMFR反应堆都选用液态高纯铋作为反应堆燃料U235和U233的载体和冷却剂。铋冷却剂还用于核潜艇。性能优于氯化钠，铋还可以作为防护装置用于核裂变装置。4、替代铅：铅的应用也比较广，像铅黄铜、颜料、铅弹等等。都含铅，但是由于铅的毒性，会严重桅人体神经系统。国际上一直在寻求铅的替代品，铋由于和铅在许多性能方面都很接近。而且是对人体无害的“绿色金属”。