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富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势:

‌低损耗‌:通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度,实现了小型化,从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗,与以往产品相比,变频器损耗降低了10%,芯片温度降低了11℃。

小型化‌:利用新开发的绝缘板,提高了模块的散热性能,实现了与以往制品相比约36%的减小,实现了小型化。
‌高温操作‌:通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化,实现了175℃连续动作,与过去产品相比可进一步提高35%的输出。

此外,富士IGBT模块还广泛应用于各种电力电子设备中,如UPS、功率调节器、空调、焊机等,通过其能和高可靠性,改善了功率因数和DC/AC转换器电路的性能。特别是,富士电机开发的RB-IGBT产品,能够构成双向开关和3电平变频器电路,进一步扩展了IGBT模块的应用范围和效率。


富士IGBT模块的用途
‌富士IGBT模块广泛应用于多个领域,包括但不限于UPS、功率调节器、空调、焊机、交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。‌


富士IGBT模块的设计和制造过程中,采用了DCB(Direct Copper Bonding)基板,以及通过优化IGBT和FWD芯片的配置,实现了有效的热分散和均衡的电流分配,从而提高了产品的可靠性和效率。此外,富士IGBT模块的端子连接方式包括钎焊和无焊两种,满足了不同的应用需求,同时也提供了主端子排列不同的产品,进一步增加了产品的适用性

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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