宽禁带烧结银纳米烧结银
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烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,AS9385烧结银可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
相对于焊料合金,银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前,AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注,它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。