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大量的研究表明低频噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,此外噪声检测方法还具有灵敏、普适、快速和非破坏性等优点。电噪声根据其形成机构可分为白噪声和过剩噪声。其中,白噪声与频率无关,主要由材料或器件的本征性质决定;过剩噪声则在低频下显著,主要由材料或器件的不完整性决定,大量研究已经证明,绝大多数不完整性(尤其是潜在缺陷) 的存在都会引入过剩噪声,而且噪声大的器件,可靠性必然差。另外,低频噪声与传统的电学参数相比较,可以更加灵敏地反映器件的潜在损伤,这些都使得低频噪声能广泛的应用于半导体器件的可靠性研究。低频噪声除了可以用在电子器件可靠性的检测外,在一些光电器件如量子阱激光器、发光二极管、光电耦合器方面也有成功的应用。

作为一种具有特光电属性的半导体材料,GaN 的应用市场可以分为两个部分:(1)凭借 GaN 半导体材料宽禁带、激发蓝光的特性质开发新的光电应用产品。目前 GaN 光电器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势,相关的商业专利己经有 20 多项,涉足 GaN 半导体器件商业开发和制造的企业也越来越多。(2)凭借 GaN 半导体材料在高温、高频、大功率工作条件下的出色性能取代部分硅和其它化合物半导体材料器件;其中高亮度发光二极管、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造商和投资商为感兴趣和关注的三个GaN 器件市场。

氮化镓,分子式GaN,英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物,镓是一种具有直接带隙的半导体材料,自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿,其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙,可用于大功率、高速的光电元件,其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。

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