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为现有技术的切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，一种连续拉晶单晶炉背景技术：目前，大多数单晶炉都是采用一次性向主炉室坩埚投料的方法，通常是生产完一炉后，等单晶炉冷却后，再往主炉室坩埚内装料，进行下一次生产，这样既浪费了时间，又造成了热量的流失，且在拉晶棒的过程中，不能进行补料操作，在拉晶棒的后期阶段，会因为硅料中某些元素的挥发而影响晶棒后半部分的质量。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种连续拉晶单晶炉，它可以连续加料、连续化料，从而实现连续拉晶，选用合适的主炉室坩埚可以实现连续拉制五六根晶棒，减少了冷却、拆炉、装炉的时间，提高了生产效率，也减少了热量的流失。为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种连续拉晶单晶炉，它包括括底座、主炉室、副炉室、下驱动装置和上驱动装置，所述主炉室和下驱动装置均安装在底座上，