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具体实施方式为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，一种连续拉晶单晶炉，它包括括底座1、主炉室2、副炉室3、下驱动装置4和上驱动装置5，所述主炉室2和下驱动装置4均安装在底座1上，所述主炉室2内设置有炉室坩埚21，所述下驱动装置4和主炉室坩埚21相连，以便通过下驱动装置4驱动主炉室坩埚21升降，所述副炉室3和主炉室2相连通，所述上驱动装置5安装在副炉室3的上端，以便通过上驱动装置5驱动拉晶，其特征在于，它还包括：外部加料器6，所述外部加料器6内设置有加料腔61，所述加料腔61内设置有加料坩埚62，所述外部加料器6的盖装有上盖63；分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，一种实用的单晶炉提拉速度控制系统\前言半导体材料是半导体工业的基础材料 ,在半导体材料中用量和用途广的是半导体硅。当今 95 %以上的半导体器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成电路是硅集成电路。生产集成电路所需要的单晶硅 ,是在硅结晶生长开始时 ,用低速提拉、生长过程均速提拉的办法制成的。提拉速度的控制性能将直接影响到晶体的质量。当今 ,随着 IT产业的迅速发展 ,单晶硅生产市场需求剧,研制一种满足工艺要求、低成本的提拉速度控制系统具有重要的实际意义。