碳化硅未加工坯料晶锭晶棒厂家，测试碳化硅C面弧度端面平整度

碳化硅未加工坯料晶锭晶棒厂家，测试碳化硅C面弧度端面平整度
碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有高的热导率、高的临界电场强度、高的饱和电子迁移率等特性，这些特性使得碳化硅成为制作高温、高频、高功率电子器件的理想材料。恒迈瑞生长供应4英寸6英寸4H-N碳化硅未加工坯料，可用于碳化硅C面弧度籽晶面分析及平整度测试。切磨抛难点：由于碳化硅是高硬度的脆性材料， 期切磨抛的加工难度增加，加工过 程中其曲翘开裂等问题严重， 损耗，根据英飞凌的数据， 在传统的往复式金刚 石固结磨料多线切割方法下，在切割环节对整体材料利用率仅有50% ，经过抛光研磨环节后，切损耗比例则高达75%，可用部分比例较低。
众所周知单晶材料是SiC功率半导体技术和产业的基础，依据器件的使用，还会要求SiC单晶片要有高的表面质量，如表面光滑、表面粗糙度低、无缺陷、无损伤、TTV、Warp等表面参数优良。否则当晶片表面有微小缺陷时，还会遗传给外延生长膜而成为器件的致命缺陷。可以说，的晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本。
SiC的硬度和材料脆性大，在各种加工过程中，裂纹极容易产生，进而会导致SiC材料不规则性脆性断裂。因此需要研究稳定的SiC材料切割工艺与方法，来提高SiC材料的加工效果。目前碳化硅晶棒有两种SiC单晶较常用的切割方式。