徐州生产PTFE花篮厂家

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

硅片清洗花篮及提把耐强酸，强碱，耐有机溶剂，质地柔软，不损伤硅片，不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的，一体成型，无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性，同时金属元素空白值低，无溶出无析出，不会污染芯片晶圆等。

PTFE固有的低损耗与介电常数使其成为电线和电缆的理想绝缘材料。PTFE用作电线包覆层的理由:具有优良的电学性能,它的体积电阻率可达1017Ω,表面电阻率大于1016Ω,在100％相对湿度下也保持不变；介电常数低达2.0,介电损耗正切约为2×10-4且均与温频率无关;耐热性好,在260℃下长期使用,绝缘性好,可以达到H级以上；具有强韧性和可挠曲性,即使低至-90℃韧性依然没影响;耐老化,耐气候性优良,高度的化学稳定性;具有不燃和低发烟性。用其制成的印刷线路基板在航空航天领域已有广泛应用,所以PTFE制品特别适用于电信、计算机、测试与测量等诸多、高挑战性的领域。