纳米烧结银膏成都烧结银
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烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,AS9385烧结银可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。