加压烧结银高导热烧结银

基于以上两款焊料的不足，有压烧结银AS9385应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。

经过第三方的测试，善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，

国内能提供纳米烧结银焊料的生产企业-SHAREX善仁新材为宽禁带半导体封装做出应有的贡献。但事实上，设计领域的许多工程师并不了解半导体器件设计和制造的细节，特别是银烧结技术。

现有的银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；善仁新材的有压烧结银AS9375可以无压烧结；

现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。

随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境，相应的封装材料和结构，尤其是芯片-基板的互连，在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。